高带宽存储器（High Bandwidth Memory，简称HBM）是一种CPU／GPU内存芯片，通过将多个DDR芯片堆叠在一起并与GPU封装在一起，实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。HBM堆栈没有以物理方式与CPU或GPU集成，而是通过中介层紧凑而快速地连接，HBM具备的特性几乎和芯片集成的RAM一样，因此具有更高速、更高带宽的特性。常被用于高性能计算、网络交换及转发设备等需要高存储器带宽的领域，高端GPU是其目前最瞩目的应用场合。

近日，面对消费级存储市场低迷，高带宽存储器（HBM）技术崭露头角，据最新报告，三星电子和美光科技两家知名公司正在积极筹备扩展HBM DRAM产能，为未来的技术挑战和市场需求做好准备。

投入巨资收购工厂以扩大产能

作为全球领先的存储器制造商之一，三星一直在积极推动高带宽存储器技术的发展。为了满足不断增长的市场需求，三星正在积极扩大其高带宽存储器的产能。三星电子不遗余力，投入了105亿韩元，完成了对其位于韩国天安市的工厂和设备的一轮收购，旨在扩大HBM产能。此外，三星计划再投资7000亿至1万亿韩元，用于新建封装线，加强其HBM生产能力。

据悉，三星在2023年第3季财报发布会上表示，目标2024年将HBM产能较2023年提升为2．5倍，其中HBM3的销售占比将于2024年上半达到50％以上。目前三星已与主要客户协商2024年供应事宜，第4季将随着客户扩大提高营收。

此前，三星电子副总裁兼 DRAM 产品和技术团队负责人 Hwang Sang－jun 先生曾透露，三星电子已经成功开发出速度达9．8Gbps的HBM3E，并计划开始向客户提供样品，这标志着他们在HBM领域的积极发展。

而更令人期待的是，三星电子目前正在全力开发HBM4技术，目标是计划在2025年正式发布。HBM4的研发涵盖多个技术领域，包括高温热特性和混合键合（HCB）优化的非导电胶膜（NCF）组装技术等，以应对未来市场需求。

美光亦不甘落后

美光科技同样作为全球领先的存储器制造商之一，也在积极扩大HBM生产，于11月6日在台中设立了新工厂，美光表示，该设施将集成先进的测试和封装功能，并专注于大规模生产HBM3E和其他相关产品。此次扩展皆在满足人工智能、数据中心、边缘计算和云服务等各种应用日益增长的需求。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra透露，他们计划在2024年初开始大规模出货HBM3E，这一技术目前正在接受NVIDIA的认证，初期产品将采用8－Hi堆栈设计，容量达到24GB，带宽超过1．2TB／s。

此外，美光还计划在 2024 年推出更大容量的36GB 12－Hi堆栈HBM3E，美光曾预计新的HBM技术将在2024年为公司贡献“数亿美元”的收入，展现出市场前景的广阔。

行业机构预测，2023 年主流需求将从 HBM2e 转向 HBM3，预计需求占比分别约为 50％ 和 39％。随着更多基于 HBM3 的加速器芯片进入市场，需求将在 2024 年大幅转向 HBM3，超过 HBM2e，预计占据 60％ 的市场份额。

根据市场趋势，高带宽存储器技术将成为存储行业的重要驱动力，随着高带宽存储器技术的崛起，三星和美光这两家全球领先的存储器制造商都在积极扩大其产能。他们认识到了这一技术的潜力，并正在采取措施以满足全球范围内不断增长的需求。

在未来几年中，随着人工智能、数据中心、边缘计算和云服务等技术的快速发展以及不断增长的市场趋势，高带宽存储器的需求将会进一步增加。三星和美光继续投资并扩大其产能，以确保他们能够在市场中保持领先地位。