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名词解释:什么是IGBT晶体管?它能用于哪些领域?

2021-02-25 17:33
博科观察
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先说个冷笑话,IGBT,不是LGBT,不是性少数群体的意思……好了,回到正题。

IGBT晶体管,英文全称是「Insulated Gate Bipolar Transistor」,中文名叫「绝缘栅双极晶体管」。

IGBT晶体管是半导体器件的一种,主要被用于电动汽车、铁路机车及动车组的交流电电动机的输出控制等领域。

IGBT晶体管是由BJT(双极型晶体或双极性晶体管,俗称三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管,也叫IGFET,Insulated Gate Field Effect Transister)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,它兼有MOSFET的驱动电流小,以及BJT导通电阻低两方面的优点(传统的BJT导通电阻小,但是驱动电流大,而MOSFET的导通电阻大,却驱动电流小)。

正是由于IGBT晶体管结合了MOSFET的高电流单栅控制特性及BJT的低饱和电压的能力,在单一的IGBT器件里,会通过过把一个隔离的FET场效应晶体管)结合,作为其控制输入,并以BJT作开关。

IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。

实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏沟道,而这个沟道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高耐压的器件上,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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