侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

物联网推动全球半导体业持续强劲增长

2015-03-25 14:43
天堂的苦涩
关注

  全球半导体业自2010年增长32.5%之后,一直小幅徘徊。业界较为一致的观点是,半导体产业已趋成熟,很难再有两位数以上的增长。然而据WSTS公布的数据,2014年全球半导体业增长达9.9%,达到3358亿美元,连续两年刷新历史最高纪录,让业界始料未及。2014年增幅最大的是美洲,增长12.7%;其次是亚太地区,增长11.4%;第三是欧洲,增长7.4%。

  存储器是半导体产业的风向标。从SIA公布的2014年销售额可观的产品看,存储器产品的销售额2014年总计增长18.2%,达到792亿美元。其中增长率最高的产品是DRAM,较上年增长34.7%。另外,功率晶体管增长16.1%,达到119亿美元;分立器件增长10.8%,达到202亿美元;模拟器件增长10.6%,达到444亿美元。

  定律还能走多远?

  主流观点是产业呈现转折点时,每个晶体管的成本不下降,反而上升。

  英特尔对于产业的贡献主要有3个方面:一是90纳米制程时的SiGe形变硅技术,二是45纳米制程的高k金属栅(HKMG)技术,三是22纳米制程时的3D finFET技术。

  众所周知,推动尺寸缩小的根本原因是进到下一代工艺制程节点时,它们的晶体管制造成本能持续减少近50%(在功耗几乎不变的条件下)。但是当尺寸缩小到28纳米时出现了不同声音,业界的主流观点认为产业开始呈现转折点,由此每个晶体管的成本没有下降,反而上升。由于工艺制程及芯片制造商的不同,对于28纳米时晶体管成本上升的看法并非一致,如英特尔就认为晶体管成本仍能持续地下降。

  但是定律还能走多远的问题已经提上议程。到目前为止,由于EUV光刻设备的一再推迟,业界尽可能地把193纳米浸液式光刻技术发挥至极限。至20纳米制程时,传统的光学光刻已达极限,必须采用两次图形曝光技术的辅助,导致光刻制造成本急速上升。原本以为至14纳米制程节点时,光学方法的尺寸缩小将达尽头,但是业界没有丧失信心而越过了它。如今来看,产业界越过10纳米已无大的障碍,至多增至3次,甚至4次图形曝光技术。

  英特尔的YanBorodovsky提出报告认为,采用图形间距的分隔技术(多次图形曝光技术)可能延伸摩尔定律至5纳米,并认为英特尔在图形尺寸缩小方面已能弥补光刻成本的增加。另外,在2015年SPIE先进光刻技术年会上,ASML称台积电已在它的NXE 3300B EUV光刻设备上单天曝光超过1000个硅片。这预示着EUV光刻机有可能很快步入量产应用,即光源功率超过90瓦在24小时内曝光超过1022硅片。虽然EUV光刻技术在不断进步,但是仍有光源、光刻胶及掩膜等问题。

1  2  3  下一页>  
声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号